STARPOWER, GD650HFX170P1S

IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD650HFX170P1S
  • Order Code3549271

41 163 руб.

41 163 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 41 163 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

41 163 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current1.073kA
  • DC Collector Current1.073kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
  • Power Dissipation Pd4.2kW
  • Power Dissipation4.2kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module