SEMIKRON, SKM75GB12V

IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    SEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM75GB12V
  • Order Code2423706

11 498 руб.

11 498 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 498 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 498 

5+

11 102 

10+

10 251 

50+

10 124 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:114A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current114A
  • DC Collector Current114A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyV-IGBT
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module