INFINEON, TDB6HK180N16RRB11BPSA1

IGBT Module, Half Bridge, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoTDB6HK180N16RRB11BPSA1
  • Order Code3775916

19 524 руб.

19 524 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 19 524 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

19 524 ₽

5+

18 452 ₽

10+

17 379 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current140A
  • DC Collector Current140A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation515W
  • Power Dissipation Pd515W
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoBRIDGE
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Module