STARPOWER, GD1000HFX170P2S

IGBT Module, Half Bridge, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD1000HFX170P2S
  • Order Code3549210

64 349 руб.

64 349 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 64 349 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

64 349 ₽

5+

62 183 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current1.604kA
  • DC Collector Current1.604kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation6.25kW
  • Power Dissipation Pd6.25kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module