SKM145GB066D модули igbt SEMIKRON

IGBT Module, Half Bridge, 195 A, 1.45 V, 175 °C, Module

Модули IGBT SEMIKRON SKM145GB066D фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    SEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM145GB066D
  • Order Code2423684

15 811 руб.

252 976 руб. всего

Минимальный заказ от 16 штук

Оставить запрос

→ 16 шт. на сумму 252 976 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

16+

15 811 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:195A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Tran

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current195A
  • DC Collector Current195A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max600V
  • IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 195 A, 1.45 V, 175 °C, Module