INFINEON, FF300R08W2P2B11ABOMA1

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 1 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 1 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF300R08W2P2B11ABOMA1
  • Order Code3858709

7 044 руб.

7 044 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 044 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 044 ₽

5+

6 163 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current200A
  • DC Collector Current200A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max750V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
  • IGBT TechnologyIGBT EDT2
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEasyPack Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 1 V, 150 °C, Module