STARPOWER, GD100HFU120C1S

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD100HFU120C1S
  • Order Code3549216

11 419 руб.

11 419 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 419 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 419 ₽

5+

10 848 ₽

10+

10 038 ₽

50+

9 893 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current200A
  • DC Collector Current200A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
  • Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
  • Power Dissipation1.136kW
  • Power Dissipation Pd1.136kW
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module