SEMIKRON, SKM150GB12T4G
IGBT Module, Half Bridge, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSEMIKRON
- Manufacturer Part NoSKM150GB12T4G
- Order Code2423688
24 256 руб.
24 256 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 24 256 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
24 256 ₽
5+
23 423 ₽
10+
21 627 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:223A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current223A
- Continuous Collector Current223A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Power Dissipation Pd-
- Power Dissipation-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Operating Temperature Max175°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-