STARPOWER, GD150HFY120C1S

IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD150HFY120C1S
  • Order Code2986061

7 685 руб.

7 685 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 685 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 685 

5+

7 421 

10+

6 852 

50+

6 767 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:230A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:746W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV;

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current230A
  • DC Collector Current230A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation746W
  • Power Dissipation Pd746W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module