STARPOWER, GD150HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD150HFY120C1S
- Order Code2986061
7 685 руб.
7 685 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 7 685 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
7 685 ₽
5+
7 421 ₽
10+
6 852 ₽
50+
6 767 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:230A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:746W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV;
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current230A
- DC Collector Current230A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation746W
- Power Dissipation Pd746W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised