SEMIKRON, SKM150GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSEMIKRON
- Manufacturer Part NoSKM150GB12V
- Order Code2423689
17 263 руб.
17 263 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 17 263 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
17 263 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:231A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current231A
- Continuous Collector Current231A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation-
- Power Dissipation Pd-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Operating Temperature Max175°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyV-IGBT
- Transistor MountingPanel
- Product Range-