STARPOWER, GD200HFX65C2S

IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD200HFX65C2S
  • Order Code3912074

10 125 руб.

10 125 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 125 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

10 125 ₽

5+

9 777 ₽

10+

9 026 ₽

50+

8 914 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current247A
  • DC Collector Current247A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation612W
  • Power Dissipation Pd612W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • IGBT TechnologyTrench
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module