STARPOWER, GD150HFX170C2S

IGBT Module, Half Bridge, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD150HFX170C2S
  • Order Code3549230

13 120 руб.

13 120 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 120 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

13 120 ₽

5+

12 670 ₽

10+

11 699 ₽

50+

11 554 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current280A
  • DC Collector Current280A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation Pd1.127kW
  • Power Dissipation1.127kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module