STARPOWER, GD150HFY120C8S

IGBT Module, Half Bridge, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD150HFY120C8S
  • Order Code3549232

8 992 руб.

8 992 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 992 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 992 ₽

5+

8 684 ₽

10+

8 018 ₽

50+

7 918 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current291A
  • DC Collector Current291A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
  • Power Dissipation1.102kW
  • Power Dissipation Pd1.102kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module