STARPOWER, GD200HFY120C2S

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD200HFY120C2S
  • Order Code2986062

12 075 руб.

12 075 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 075 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

12 075 

5+

11 659 

10+

10 766 

50+

10 632 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:309A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:1.006kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current309A
  • DC Collector Current309A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation1.006kW
  • Power Dissipation Pd1.006kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module