STARPOWER, GD200HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD200HFY120C2S
- Order Code2986062
12 075 руб.
12 075 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 12 075 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
12 075 ₽
5+
11 659 ₽
10+
10 766 ₽
50+
10 632 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:309A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:1.006kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current309A
- DC Collector Current309A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
- Collector Emitter Saturation Voltage2V
- Power Dissipation1.006kW
- Power Dissipation Pd1.006kW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised