SEMIKRON, SKM200GB12V

IGBT Module, Half Bridge, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM200GB12V
  • Order Code2423695

28 527 руб.

28 527 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 28 527 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

28 527 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:311A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current311A
  • Continuous Collector Current311A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyV-IGBT
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Module