SEMIKRON, SKM200GB12E4

IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    SEMIKRON
  • Manufacturer Part NoSKM200GB12E4
  • Order Code2423693

28 432 руб.

28 432 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 28 432 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

28 432 

5+

27 456 

10+

25 350 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current313A
  • Continuous Collector Current313A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module