SEMIKRON, SKM200GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSEMIKRON
- Manufacturer Part NoSKM200GB12T4
- Order Code2423694
23 640 руб.
23 640 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 23 640 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
23 640 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current313A
- Continuous Collector Current313A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
- Power Dissipation-
- Power Dissipation Pd-
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Operating Temperature Max175°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-