STARPOWER, GD200HFX170C2S

IGBT Module, Half Bridge, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD200HFX170C2S
  • Order Code3549238

14 918 руб.

14 918 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 918 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 918 ₽

5+

14 406 ₽

10+

13 301 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • DC Collector Current337A
  • Continuous Collector Current337A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Power Dissipation Pd1.271kW
  • Power Dissipation1.271kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module