STARPOWER, GD300HFX65C2S

IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD300HFX65C2S
  • Order Code3549248

11 545 руб.

11 545 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 545 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 545 ₽

5+

11 148 ₽

10+

10 294 ₽

50+

10 167 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current343A
  • DC Collector Current343A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation819W
  • Power Dissipation Pd819W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module