MULTICOMP PRO, MPIM650H217TG5
IGBT Module, Half Bridge, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerMULTICOMP PRO
- Manufacturer Part NoMPIM650H217TG5
- Order Code3579389
32 381 руб.
32 381 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 32 381 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
32 381 ₽
2+
32 379 ₽
3+
32 377 ₽
5+
32 376 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Transistor PolarityDual N Channel
- DC Collector Current650A
- Continuous Collector Current650A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
- Power Dissipation Pd4.16kW
- Power Dissipation4.16kW
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins10Pins
- IGBT TerminationSolder
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench]
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised