MULTICOMP PRO, MPIM650H217TG5

IGBT Module, Half Bridge, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    MULTICOMP PRO
  • Manufacturer Part NoMPIM650H217TG5
  • Order Code3579389

32 381 руб.

32 381 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 32 381 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

32 381 ₽

2+

32 379 ₽

3+

32 377 ₽

5+

32 376 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Transistor PolarityDual N Channel
  • DC Collector Current650A
  • Continuous Collector Current650A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Power Dissipation Pd4.16kW
  • Power Dissipation4.16kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins10Pins
  • IGBT TerminationSolder
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module