STARPOWER, GD800HFX170C3S

IGBT Module, Half Bridge, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD800HFX170C3S
  • Order Code3912084

57 529 руб.

57 529 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 57 529 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

57 529 ₽

5+

55 592 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current800A
  • DC Collector Current800A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyTrench
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module