MULTICOMP PRO, MPIM900H212TG5

IGBT Module, Half Bridge, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerMULTICOMP PRO
  • Manufacturer Part NoMPIM900H212TG5
  • Order Code3579390

34 520 руб.

34 520 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 34 520 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

34 520 ₽

2+

34 518 ₽

3+

34 517 ₽

5+

34 515 ₽

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current900A
  • DC Collector Current900A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation4.23kW
  • Power Dissipation Pd4.23kW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationSolder
  • No. of Pins10Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Module