VISHAY, VS-GT100TS065N

IGBT Module, Half Bridge, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK

IGBT Module, Half Bridge, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerVISHAY
  • Manufacturer Part NoVS-GT100TS065N
  • Order Code4486848

14 509 руб.

14 509 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 509 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 509 

5+

12 694 

10+

10 518 

50+

9 430 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationHalf Bridge
  • Continuous Collector Current96A
  • Collector Emitter Saturation Voltage-
  • Power Dissipation259W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleINT-A-PAK
  • IGBT TerminationScrew
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK