INFINEON, FP25R12W2T4

IGBT Module, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFP25R12W2T4
  • Order Code1833566

8 126 руб.

8 126 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 126 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 126 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipati; Available until stocks are exhausted Alternative available

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationPIM
  • Continuous Collector Current25A
  • DC Collector Current25A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
  • Power Dissipation Pd175W
  • Power Dissipation175W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins23Pins
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, PIM, 25 A, 1.85 V, 175 W, 150 °C, Module