ONSEMI, NXH80T120L2Q0S2G
IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH80T120L2Q0S2G
- Order Code2835631
9 038 руб.
9 038 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 9 038 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
9 038 ₽
5+
7 682 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:67A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V; Power Dissipation Pd:158mW; Collector Emi; Available until stocks are exhausted
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current67A
- Continuous Collector Current67A
- Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.35V
- Power Dissipation Pd158mW
- Power Dissipation158mW
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StylePIM
- IGBT TerminationSolder
- No. of Pins20Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)