INFINEON, FP50R12KS4CBOSA1

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 A, 3.2 V, 360 W, 125 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerINFINEON
Manufacturer Part NoFP50R12KS4CBOSA1
Order Code2839512

36 289 руб.

36 289 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 36 289 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

36 289 ₽

33 105 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:360W; Collector Emitt; Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current70A
Continuous Collector Current70A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation Pd360W
Power Dissipation360W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV

Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPIM
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

INFINEON, FP50R12KS4CBOSA1

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 A, 3.2 V, 360 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 100 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.7 V, 105 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Single Switch, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Trench/Fieldstop, Six Pack [Full Bridge], 150 A, 1.75 V, 750 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 300 A, 1.76 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 200 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module

IGBT Module, 280 A, 1.7 V, 1 kW, 150 °C