IXYS SEMICONDUCTOR, MDI145-12A3

IGBT Module, Single, 160 A, 2.2 V, 700 W, 125 °C, Y4-M5

IGBT Module, Single, 160 A, 2.2 V, 700 W, 125 °C, Y4-M5

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoMDI145-12A3
  • Order Code2674828

8 159 руб.

8 159 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 159 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 159 

5+

7 769 

10+

7 378 

50+

7 231 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:160A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:700W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tr

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSingle
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current160A
  • Continuous Collector Current160A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
  • Power Dissipation700W
  • Power Dissipation Pd700W
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Transistor Case StyleY4-M5
  • IGBT TerminationStud
  • No. of Pins5Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)

Оставить запрос

IGBT Module, Single, 160 A, 2.2 V, 700 W, 125 °C, Y4-M5