IXYS SEMICONDUCTOR, MDI200-12A4

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

ManufacturerIXYS SEMICONDUCTOR
Manufacturer Part NoMDI200-12A4
Order Code2782989

11 543 руб.

11 543 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 543 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

11 543 ₽

11 197 ₽

10+

10 607 ₽

50+

10 483 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:270A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:1.13kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current270A
Continuous Collector Current270A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Power Dissipation Pd1.13kW
Power Dissipation1.13kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C

Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Jul-2017)

IXYS SEMICONDUCTOR, MDI200-12A4

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 1.85 V, 6.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, H Bridge, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Three level Inverter, 2.4 kA, 2.4 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, 117 A, 2.15 V, 380 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Seven Pack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 150 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 600 A, 1.8 V, 3.26 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 225 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 450 A, 1.1 V, 870 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 150 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Sixpack, Six Pack [Full Bridge], 50 A, 1.85 V, 280 W, Module

IGBT Module, Half Bridge, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 2.4 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module