INFINEON, FZ2000R33HE4BOSA1

IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFZ2000R33HE4BOSA1
  • Order Code3324632

314 684 руб.

314 684 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 314 684 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

314 684 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSingle Switch
  • Continuous Collector Current2kA
  • DC Collector Current2kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationTab
  • Collector Emitter Voltage Max3.3kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeIHM-B Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module