ONSEMI, NXH350N100H4Q2F2P1G

IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH350N100H4Q2F2P1G
  • Order Code3929806

28 985 руб.

28 985 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 28 985 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

28 985 ₽

5+

25 363 ₽

10+

21 015 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationFour Pack
  • Continuous Collector Current303A
  • DC Collector Current303A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.63V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
  • Power Dissipation592W
  • Power Dissipation Pd592W
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Operating Temperature Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
  • IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Si/SiC Hybrid Module, EliteSiC, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module