INFINEON, FS100R12KT4GBOSA1
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFS100R12KT4GBOSA1
- Order Code2726175
21 538 руб.
21 538 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 21 538 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
21 538 ₽
5+
20 477 ₽
10+
19 415 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:515W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tra
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
- Continuous Collector Current100A
- DC Collector Current100A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation515W
- Power Dissipation Pd515W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEconoPACK 3
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)