STMICROELECTRONICS, A2P75S12M3-F

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoA2P75S12M3-F
  • Order Code2832458

10 287 руб.

10 287 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 287 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

10 287 

5+

9 822 

10+

9 356 

50+

8 891 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:454.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current75A
  • Continuous Collector Current75A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
  • Power Dissipation Pd454.5W
  • Power Dissipation454.5W
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeACEPACK 2 M
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Module