STMICROELECTRONICS, A2P75S12M3-F
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTMICROELECTRONICS
- Manufacturer Part NoA2P75S12M3-F
- Order Code2832458
10 287 руб.
10 287 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 10 287 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
10 287 ₽
5+
9 822 ₽
10+
9 356 ₽
50+
8 891 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:454.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transist
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current75A
- Continuous Collector Current75A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
- Power Dissipation Pd454.5W
- Power Dissipation454.5W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product RangeACEPACK 2 M
- SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)