ONSEMI, NXH35C120L2C2ESG
IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH35C120L2C2ESG
- Order Code3464032
11 533 руб.
11 533 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 533 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 533 ₽
Обзор продукта
Available until stocks are exhausted
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
- Transistor PolaritySix N Channel
- DC Collector Current35A
- Continuous Collector Current35A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
- Power Dissipation Pd-
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleDIP
- IGBT TerminationSolder
- No. of Pins26Pins
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT Technology-
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)