ONSEMI, NXH35C120L2C2ESG

IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP

IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH35C120L2C2ESG
  • Order Code3464032

11 533 руб.

11 533 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 533 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 533 

Обзор продукта

Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
  • Transistor PolaritySix N Channel
  • DC Collector Current35A
  • Continuous Collector Current35A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleDIP
  • IGBT TerminationSolder
  • No. of Pins26Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP