STARPOWER, GD75FFX65C5S

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoGD75FFX65C5S
  • Order Code3549272

8 903 руб.

8 903 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 8 903 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

8 903 ₽

5+

8 460 ₽

10+

7 827 ₽

50+

7 714 ₽

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
  • DC Collector Current103A
  • Continuous Collector Current103A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
  • Power Dissipation267W
  • Power Dissipation Pd267W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max650V
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)

Оставить запрос

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module