INFINEON, BSM10GD120DN2BOSA1
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoBSM10GD120DN2BOSA1
- Order Code1496947
12 861 руб.
12 861 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 12 861 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
12 861 ₽
5+
12 163 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:80W; Collector Emitte; Available until stocks are exhausted
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current15A
- Continuous Collector Current15A
- Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
- Power Dissipation Pd80W
- Power Dissipation80W
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Transistor Case StyleEconoPACK
- No. of Pins17Pins
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT Technology-
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)