BSM25GD120DN2BOSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK

Модули IGBT INFINEON BSM25GD120DN2BOSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoBSM25GD120DN2BOSA1
  • Order Code1496948

38 270 руб.

38 270 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 38 270 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

38 270 

5+

36 949 

10+

35 624 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:2; Available until stocks are exhausted Alternative available

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current35A
  • Continuous Collector Current35A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
  • Power Dissipation200W
  • Power Dissipation Pd200W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleEconoPACK
  • No. of Pins17Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB