INFINEON, BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoBSM25GD120DN2BOSA1
- Order Code1496948
25 209 руб.
25 209 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 25 209 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
25 209 ₽
5+
24 338 ₽
10+
23 465 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:2; Available until stocks are exhausted Alternative available
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
- Transistor PolarityN Channel
- DC Collector Current35A
- Continuous Collector Current35A
- Collector Emitter Saturation Voltage3V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
- Power Dissipation200W
- Power Dissipation Pd200W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Operating Temperature Max125°C
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Transistor Case StyleEconoPACK
- No. of Pins17Pins
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT Technology-
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)