INFINEON, BSM25GD120DN2BOSA1

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoBSM25GD120DN2BOSA1
  • Order Code1496948

25 209 руб.

25 209 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 25 209 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

25 209 

5+

24 338 

10+

23 465 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3V; Power Dissipation Pd:2; Available until stocks are exhausted Alternative available

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current35A
  • Continuous Collector Current35A
  • Collector Emitter Saturation Voltage3V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
  • Power Dissipation200W
  • Power Dissipation Pd200W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Operating Temperature Max125°C
  • Junction Temperature Tj Max125°C
  • Transistor Case StyleEconoPACK
  • No. of Pins17Pins
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK