INFINEON, FF600R12KE4BOSA1

IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF600R12KE4BOSA1
  • Order Code2803384

21 408 руб.

21 408 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 21 408 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

21 408 

5+

21 225 

10+

21 042 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor C

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityN Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • DC Collector Current600A
  • Continuous Collector Current600A
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationTab
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range62mm C
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module