INFINEON, FF600R12KE4BOSA1
IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF600R12KE4BOSA1
- Order Code2803384
21 408 руб.
21 408 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 21 408 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
21 408 ₽
5+
21 225 ₽
10+
21 042 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor C
Техническая спецификация
- Transistor PolarityN Channel
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- DC Collector Current600A
- Continuous Collector Current600A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
- Power Dissipation Pd-
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max150°C
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationTab
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product Range62mm C
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)