AIMZHN120R010M1TXKSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoAIMZHN120R010M1TXKSA1
- Order Code4335791
10 179 руб.
10 179 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 10 179 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
10 179 ₽
5+
9 356 ₽
10+
8 530 ₽
50+
8 247 ₽
100+
7 677 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id202A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0113ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
- Power Dissipation750W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeCoolSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)