DF80R12W2H3FB11BPSA1 модули igbt INFINEON
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoDF80R12W2H3FB11BPSA1
- Order Code3625426
15 943 руб.
15 943 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 15 943 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
15 943 ₽
5+
14 946 ₽
10+
13 950 ₽
50+
12 954 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
- Continuous Collector Current80A
- DC Collector Current80A
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
- Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
- Power Dissipation-
- Power Dissipation Pd-
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEasyPACK CoolSiC
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)