FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Order Code3500941
52 554 руб.
52 554 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 52 554 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
52 554 ₽
5+
51 607 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id150A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.00733ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins-
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max150°C
- Product RangeCoolSiC Easy 1B Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)