FF1200R17IP5BPSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module

Модули IGBT INFINEON FF1200R17IP5BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF1200R17IP5BPSA1
  • Order Code3582448

123 856 руб.

123 856 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 123 856 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

123 856 

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • Continuous Collector Current1.2kA
  • DC Collector Current1.2kA
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Power Dissipation-
  • Power Dissipation Pd-
  • Operating Temperature Max175°C
  • Junction Temperature Tj Max175°C
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationStud
  • Collector Emitter Voltage Max1.7kV
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
  • IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangePrimePACK 2
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB