FF1MR12KM1HPHPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF1MR12KM1HPHPSA1
- Order Code4305729
126 370 руб.
126 370 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 126 370 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
126 370 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id475A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.00147ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range62mm C Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)