FF2MR12W3M1HB11BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Order Code3994942
111 773 руб.
111 773 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 111 773 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
111 773 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id400A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.00144ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins52Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max125°C
- Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)