FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF33MR12W1M1HPB11BPSA1
- Order Code4216512
12 984 руб.
12 984 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 12 984 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
12 984 ₽
5+
12 648 ₽
10+
12 310 ₽
50+
11 690 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id25A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0323ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins10Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeCoolSiC Trench Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)