FF4MR20KM1HHPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF4MR20KM1HHPSA1
- Order Code4305726
111 442 руб.
111 442 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 111 442 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
111 442 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id280A
- Drain Source Voltage Vds2kV
- Drain Source On State Resistance0.0053ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins7Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range62mm C Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)