FS100R12KT4PBPSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, 100 A, 2.1 V, 515 W, 150 °C, EconoPACK

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
INFINEON
Manufacturer Part NoFS100R12KT4PBPSA1
Order Code2781251

51 572 руб.

51 572 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 51 572 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

51 572 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Six NPN; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.1V; Power Dissipation Pd:515W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor C

Техническая спецификация

IGBT Configuration-
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation515W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleEconoPACK

IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

FS100R12KT4PBPSA1 модули igbt INFINEON

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, 100 A, 2.1 V, 515 W, 150 °C, EconoPACK

IGBT Module, 140 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Single, 270 A, 2.2 V, 1.13 mW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 1.8 kA, 1.8 V, 1800 kW, 175 °C, Module

IGBT Module, Four Pack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Module

IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module

IGBT Module, Single, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Seven Pack, 35 A, 1.85 V, 210 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual Common Emitter Common Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module

IGBT Driver, Half Bridge, 15 A, 14.4 V to 15.6 VPCB-60

IGBT Module, Three Phase Inverter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module