FS55MR12W1M1HB11NPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON FS55MR12W1M1HB11NPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFS55MR12W1M1HB11NPSA1
  • Order Code3994941

12 761 руб.

12 761 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 761 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

12 761 

5+

12 328 

10+

11 898 

50+

11 465 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSixPack
  • Channel TypeSix N Channel
  • Continuous Drain Current Id15A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0529ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins23Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max125°C
  • Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB