IFF450B12ME4PB11BPSA1 модули igbt INFINEON

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module

Модули IGBT INFINEON IFF450B12ME4PB11BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoIFF450B12ME4PB11BPSA1
  • Order Code2986381

25 719 руб.

25 719 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 25 719 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

25 719 

5+

25 716 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:450A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Trans

Техническая спецификация

  • Transistor PolarityDual N Channel
  • IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
  • DC Collector Current450A
  • Continuous Collector Current450A
  • Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
  • Power Dissipation Pd-
  • Power Dissipation-
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StyleModule
  • IGBT TerminationPress Fit
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
  • Transistor MountingPanel
  • Product RangeEconoDUAL 3
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB