IMW120R007M1HXKSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoIMW120R007M1HXKSA1
- Order Code3958239
14 083 руб.
14 083 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 14 083 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
14 083 ₽
5+
12 321 ₽
10+
10 209 ₽
50+
9 153 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id225A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.007ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins3Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
- Power Dissipation750W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeCoolSiC Trench Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)