IMYH200R012M1HXKSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoIMYH200R012M1HXKSA1
- Order Code4335359
26 217 руб.
26 217 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 26 217 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
26 217 ₽
5+
22 940 ₽
10+
19 008 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id123A
- Drain Source Voltage Vds2kV
- Drain Source On State Resistance0.0165ohm
- Transistor Case StyleTO-247 Plus
- No. of Pins4Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
- Power Dissipation552W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeCoolSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)